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DE475-102N21A 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

DE-475

描述:

IXYS RF DE475-102N21A 晶体管, 射频FET, 1 kV, 24 A, 1.8 kW, 30 MHz, DE-475

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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DE475-102N21A 数据手册 (6 页)

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DE475-102N21A 数据手册 (6 页)

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DE475-102N21A 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

30 MHz

引脚数

6 Pin

封装

DE-475

额定功率

1.8 kW

针脚数

6 Position

极性

N-Channel

功耗

1.8 kW

漏源极电压(Vds)

1 kV

连续漏极电流(Ids)

24.0 A

上升时间

5.00 ns

输入电容值(Ciss)

5500pF @800V(Vds)

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1800000 mW

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DE475-102N21A 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

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DE475-102N21A 海关信息

DE475-102N21A 概述

DE475-102N21A 数据手册

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IXYS Semiconductor

5 页 / 0.28 MByte

DE475102N21 数据手册

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