￥ 0.013

DMG1012T-7 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

MOS管

封装:

SOT-523-3

描述:

DMG1012T 系列 20 V 400 mOhm N 沟道增强模式 Mosfet - SOT-523

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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DMG1012T-7 数据手册 (6 页)

封装尺寸在5 页

DMG1012T-7 数据手册 (6 页)

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DMG1012T-7 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-523-3

额定功率

0.28 W

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.3 Ω

极性

N-Channel

功耗

280 mW

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

20 V

漏源击穿电压

20 V

连续漏极电流(Ids)

0.63A

上升时间

7.4 ns

输入电容值(Ciss)

60.67pF @16V(Vds)

额定功率(Max)

280 mW

下降时间

12.3 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

280 mW

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DMG1012T-7 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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DMG1012T-7 符合标准

DMG1012T-7 海关信息

DMG1012T-7 数据手册

Diodes（美台）

6 页 / 0.17 MByte

DMG1012T-7 其他数据使用手册

Diodes（美台）

199 页 / 0.86 MByte

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