￥ 0.02

DMG1013UW-7 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

MOS管

封装:

SOT-323-3

描述:

P沟道,Vdss=20V,Idss=820mA

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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DMG1013UW-7 数据手册 (6 页)

封装尺寸在5 页

DMG1013UW-7 数据手册 (6 页)

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DMG1013UW-7 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-323-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.5 Ω

极性

P-Channel

功耗

310 mW

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

0.82A

上升时间

8.1 ns

输入电容值(Ciss)

59.76pF @16V(Vds)

额定功率(Max)

310 mW

下降时间

20.7 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

310 mW

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DMG1013UW-7 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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DMG1013UW-7 符合标准

DMG1013UW-7 海关信息

DMG1013UW-7 概述

DMG1013UW-7 数据手册

Diodes（美台）

6 页 / 0.19 MByte

DMG1013UW-7 其他数据使用手册

Diodes（美台）

293 页 / 0.91 MByte

DMG1013UW-7 产品修订记录

Diodes（美台）

7 页 / 0.18 MByte

DMG1013 数据手册

DMG1013UW-7 数据手册

Diodes（美台）

P沟道,Vdss=20V,Idss=820mA

DMG1013T-7 数据手册

Diodes（美台）

•低导通电阻•低栅极阈值电压•低输入电容•开关速度快•低输入/输出漏

DMG1013UWQ-7 数据手册

Diodes（美台）

晶体管, MOSFET, P沟道, -820 mA, -20 V, 0.5 ohm, -4.5 V, -1 V

DMG1013T-7 数据手册

Diodes Zetex（捷特科）

P 通道 MOSFET，12V 至 25V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.

DMG1013UW-7 数据手册

Diodes Zetex（捷特科）

P 通道 MOSFET，12V 至 25V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.

DMG1013T 数据手册

Diodes（美台）

DMG1013UWQ-13 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

DMG1013TQ-7 数据手册

Diodes（美台）

场效应管(MOSFET) DMG1013TQ-7 SOT-523

DMG1013UWQ-13 数据手册

Diodes（美台）

场效应管(MOSFET) DMG1013UWQ-13 SOT-323

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