￥ 0.039

DMG3414U-7 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

DMG3414U-7 编带

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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DMG3414U-7 数据手册 (6 页)

封装尺寸在5 页

原理图在1 页

DMG3414U-7 数据手册 (6 页)

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DMG3414U-7 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

极性

N-CH

功耗

0.78 W

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

4.2A

上升时间

8.3 ns

输入电容值(Ciss)

829.9pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

780 mW

下降时间

9.6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

780mW (Ta)

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DMG3414U-7 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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DMG3414U-7 符合标准

DMG3414U-7 海关信息

DMG3414U-7 概述

DMG3414U-7 数据手册

Diodes（美台）

6 页 / 0.19 MByte

DMG3414U-7 其他数据使用手册

Diodes（美台）

199 页 / 0.86 MByte

DMG3414U-7 开发手册

Diodes（美台）

6 页 / 0.55 MByte

DMG3414U-7 产品修订记录

Diodes（美台）

7 页 / 0.18 MByte

DMG3414 数据手册

DMG3414U-7 数据手册

Diodes（美台）

DMG3414U-7 编带

DMG3414UQ-7 数据手册

Diodes（美台）

N沟道 20V 4.2A

DMG3414U 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

DIODES INC. DMG3414U 晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 4.2 A, 20 V, 0.019 ohm, 4.5 V, 500 mV

DMG3414U 数据手册

Diodes（美台）

晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 4.2 A, 20 V, 0.019 ohm, 4.5 V, 500 mV

DMG3414U-7 数据手册

Diodes Zetex（捷特科）

N 通道 MOSFET，12V 至 28V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.

DMG3414UQ-13 数据手册

Diodes（美台）

DMG3414U-7 数据手册

Zetex

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