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DMG3415UFY4-7 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

MOS管

封装:

DFN-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

DMG3415UFY4-7 数据手册 (5 页)

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DMG3415UFY4-7 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

DFN-3

极性

P-CH

功耗

1.35 W

漏源极电压(Vds)

16 V

连续漏极电流(Ids)

2.5A

上升时间

175 ns

输入电容值(Ciss)

281.9pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

490 mW

下降时间

568 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

400mW (Ta)

DMG3415UFY4-7 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

DMG3415UFY4-7 符合标准

DMG3415UFY4-7 海关信息

DMG3415UFY4-7 概述

DMG3415UFY4-7 数据手册

DMG3415UFY4-7 其他数据使用手册

Diodes（美台）

5 页 / 0.11 MByte

DMG3415UFY4-7 开发手册

Diodes（美台）

6 页 / 0.37 MByte

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MOSFET 晶体管，Diodes Inc.

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