￥ 0.033

DMG6968U-7 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

DMG6968 系列 20 V 25 mOhm N 沟道增强模式晶体管 SOT-23-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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DMG6968U-7 数据手册 (6 页)

封装尺寸在5 页

原理图在1 页

DMG6968U-7 数据手册 (6 页)

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DMG6968U-7 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

额定功率

1.3 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.021 Ω

极性

N-Channel

功耗

1.3 W

阈值电压

500 mV

输入电容

151 pF

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

6.5A

上升时间

66 ns

输入电容值(Ciss)

151pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

810 mW

下降时间

205 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1300 mW

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DMG6968U-7 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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DMG6968U-7 符合标准

DMG6968U-7 海关信息

DMG6968U-7 概述

DMG6968U-7 数据手册

Diodes（美台）

6 页 / 0.17 MByte

DMG6968U-7 其他数据使用手册

Diodes（美台）

199 页 / 0.86 MByte

DMG6968U-7 产品修订记录

Diodes（美台）

7 页 / 0.18 MByte

DMG6968 数据手册

DMG6968U-7 数据手册

Diodes（美台）

DMG6968 系列 20 V 25 mOhm N 沟道增强模式晶体管 SOT-23-3

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双N沟道(共漏) 20V 5.2A

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N沟道 20V 6.5A

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N 通道 MOSFET，12V 至 28V，Diodes Inc

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Vishay Semiconductor（威世）

DMG6968UDM-7 数据手册

Diodes Zetex（捷特科）

N 通道 MOSFET，Diodes Inc.### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.

DMG6968U-7 数据手册

Zetex

DMG6968UDM 数据手册

Diodes（美台）

DMG6968U 数据手册

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