￥ 0.047

DMN26D0UFB4-7 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

MOS管

封装:

DFN-3

描述:

N沟道,Vdss=20V,Idss=230mA

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

DMN26D0UFB4-7 数据手册 (6 页)

封装尺寸在5 页

DMN26D0UFB4-7 数据手册 (6 页)

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DMN26D0UFB4-7 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

DFN-3

极性

N-CH

功耗

0.35 W

输入电容

14.1 pF

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

0.24A

上升时间

7.9 ns

输入电容值(Ciss)

14.1pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

350 mW

下降时间

15.2 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

350mW (Ta)

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DMN26D0UFB4-7 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

1.05 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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DMN26D0UFB4-7 符合标准

DMN26D0UFB4-7 概述

DMN26D0UFB4-7 数据手册

Diodes（美台）

6 页 / 0.12 MByte

DMN26D0UFB4-7 其他数据使用手册

Diodes（美台）

293 页 / 0.91 MByte

DMN26D0UFB4-7 开发手册

Diodes（美台）

7 页 / 0.27 MByte

DMN26D0UFB4-7 产品封装文件

Diodes（美台）

6 页 / 0.12 MByte

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