￥ 0.047

DMN6075S-13 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

场效应管(MOSFET) DMN6075S-13 SOT-23-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

DMN6075S-13 数据手册

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DMN6075S-13 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

120 mΩ

极性

N-CH

功耗

1.15 W

阈值电压

1 V, 1 V

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60 V

连续漏极电流(Ids)

2.5A

上升时间

4.1 ns

输入电容值(Ciss)

606pF @20V(Vds)

额定功率(Max)

800 mW

下降时间

11 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

800mW (Ta)

DMN6075S-13 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3 mm

宽度

1.4 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

DMN6075S-13 符合标准

DMN6075S-13 数据手册

DMN6075S-13 其他数据使用手册

Diodes（美台）

10 页 / 0.29 MByte

DMN6075S-13 开发手册

Diodes（美台）

8 页 / 0.48 MByte

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Diodes Zetex（捷特科）

N 沟道 MOSFET，40V 至 90V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.

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