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DMN6075S-7
0.036
DMN6075S-7 数据手册 (4 页)
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DMN6075S-7 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.069 Ω
极性
N-CH
功耗
1.15 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
2.5A
上升时间
4.1 ns
输入电容值(Ciss)
606pF @20V(Vds)
额定功率(Max)
800 mW
下降时间
11 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1150 mW

DMN6075S-7 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3 mm
宽度
1.4 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

DMN6075S-7 数据手册

Diodes(美台)
4 页 / 0.06 MByte
Diodes(美台)
8 页 / 0.48 MByte

DMN6075 数据手册

Diodes(美台)
DMN6075S-7 编带
Diodes(美台)
场效应管(MOSFET) DMN6075S-13 SOT-23-3
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
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