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DMP3056LDM-7
0.028
DMP3056LDM-7 数据手册 (6 页)
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DMP3056LDM-7 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
SOT-23-6
通道数
1 Channel
针脚数
6 Position
漏源极电阻
65 mΩ
极性
P-CH
功耗
1.5 W
阈值电压
2.1 V
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30 V
连续漏极电流(Ids)
4.3A
上升时间
6.6 ns
输入电容值(Ciss)
948pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
1.25 W
下降时间
22.3 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
1.25W (Ta)

DMP3056LDM-7 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3 mm
宽度
1.6 mm
高度
1.1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

DMP3056LDM-7 数据手册

Diodes(美台)
6 页 / 0.15 MByte
Diodes(美台)
199 页 / 0.86 MByte
Diodes(美台)
7 页 / 0.47 MByte

DMP3056 数据手册

Diodes(美台)
DMP3056L-7 编带
Diodes(美台)
DMP3056LSS-13 编带
Diodes(美台)
P 沟道 30 V 65 mΩ 1.5 W 10.1 nC 表面贴装 功率 MosFet - SOT-26
Diodes(美台)
三极管
Diodes(美台)
Diodes(美台)
DIODES INC.  DMP3056LSD  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -6.9 A, -30 V, 0.045 ohm, -10 V, 1.7 V
Diodes(美台)
Diodes(美台)
Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC.  DMP3056LDM  晶体管, MOSFET, 增强模式, P沟道, -5 A, -30 V, 0.045 ohm, -10 V, -1 V
Diodes Zetex(捷特科)
P 沟道 MOSFET,30V,Diodes Inc
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