￥ 0.172

DMP6023LE-13 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

MOS管

封装:

TO-261-4

描述:

P-沟道 60 V 28 mΩ 53.1 nC 表面贴装增强型 Mosfet - SOT-223

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

DMP6023LE-13 数据手册 (7 页)

封装尺寸在6 页

DMP6023LE-13 数据手册 (7 页)

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DMP6023LE-13 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

封装

TO-261-4

针脚数

4 Position

漏源极电阻

0.028 Ω

极性

P-CH

功耗

2 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

7.1 ns

输入电容值(Ciss)

2569pF @30V(Vds)

额定功率(Max)

2 W

下降时间

62 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2000 mW

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DMP6023LE-13 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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DMP6023LE-13 符合标准

DMP6023LE-13 概述

DMP6023LE-13 数据手册

Diodes（美台）

7 页 / 0.34 MByte

DMP6023LE-13 开发手册

Diodes（美台）

7 页 / 0.34 MByte

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