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器件3D模型
¥ 0.833
DRV5013AGQDBZT 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
地磁传感器
封装:
SOT-23-3
描述:
Texas Instruments集成电路利用霍尔效应,用于实施非接触感应、切换和闭锁功能。### 霍尔效应传感器,Texas Instruments
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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DRV5013AGQDBZT 数据手册 (27 页)
引脚图
在
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DRV5013AGQDBZT 数据手册
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DRV5013AGQDBZT 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
输出电压
38 V
输出电流
30 mA
输出电流(Max)
30 mA
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
2.7V ~ 38V
电源电压(Max)
38 V
电源电压(Min)
2.5 V
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DRV5013AGQDBZT 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.04 mm
宽度
1.4 mm
高度
1.02 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃ (TA)
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DRV5013AGQDBZT 符合标准
DRV5013AGQDBZT 海关信息
DRV5013AGQDBZT 概述
●
霍尔效应开关和闩锁,Texas Instruments
●
集成电路利用霍尔效应,用于实施非接触感应、切换和闭锁功能。
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DRV5013AGQDBZT 数据手册
DRV5013AGQDBZT
数据手册
TI(德州仪器)
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DRV5013AGQDBZT
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霍尔效应开关和闩锁,Texas Instruments集成电路利用霍尔效应,用于实施非接触感应、切换和闭锁功能。### 霍尔效应传感器,Texas Instruments
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