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器件3D模型
¥ 0.696
DRV5013BCQDBZRQ1 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
地磁传感器
封装:
SOT-23-3
描述:
汽车类、高电压(高达 38V)、高带宽 (30kHz) 霍尔效应锁存器 3-SOT-23 -40 to 125
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
DRV5013BCQDBZRQ1 数据手册 (27 页)
引脚图
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DRV5013BCQDBZRQ1 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
输出电流(Max)
30 mA
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
2.7V ~ 38V
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DRV5013BCQDBZRQ1 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 125℃ (TA)
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DRV5013BCQDBZRQ1 符合标准
DRV5013BCQDBZRQ1 海关信息
DRV5013BCQDBZRQ1 概述
●
数字开关 卡销 开路漏极 霍尔效应 SOT-23-3
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DRV5013BCQDBZRQ1 数据手册
DRV5013BCQDBZRQ1
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TI(德州仪器)
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DRV5013BCQDBZRQ1
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霍尔效应开关和闩锁,Texas Instruments集成电路利用霍尔效应,用于实施非接触感应、切换和闭锁功能。### 霍尔效应传感器,Texas Instruments
DRV5013
ADEDBZTQ1
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TI(德州仪器)
汽车类、高电压(高达 38V)、高带宽 (30kHz) 霍尔效应锁存器 3-SOT-23 -40 to 150
DRV5013
ADQLPGM
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