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Datasheet 搜索 > 接口芯片 > TI(德州仪器) > DS92001TLD/NOPB Datasheet 文档
DS92001TLD/NOPB
3.101
DS92001TLD/NOPB 数据手册 (17 页)
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DS92001TLD/NOPB 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
3.30 V
封装
WFDFN-8
供电电流
50 mA
通道数
1 Channel
功耗
726 W
数据速率
400 Mbps
功耗
165 W
输入电流(Min)
20 μA
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
726 mW
电源电压
3V ~ 3.6V
电源电压(Max)
3.6 V
电源电压(Min)
3 V

DS92001TLD/NOPB 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 85℃

DS92001TLD/NOPB 数据手册

TI(德州仪器)
17 页 / 0.87 MByte
TI(德州仪器)
17 页 / 0.87 MByte
TI(德州仪器)
1 页 / 0.14 MByte

DS92001 数据手册

TI(德州仪器)
3.3V B/LVDS-BLVDS 缓冲器
National Semiconductor(美国国家半导体)
3.3V B / LVDS , BLVDS缓冲区 3.3V B/LVDS-BLVDS Buffer
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  DS92001TMA/NOPB  驱动器, LVDS, -40 °C, 85 °C, 3 V
TI(德州仪器)
DS92001 3.3V B / LVDS , BLVDS缓冲区 DS92001 3.3V B/LVDS-BLVDS Buffer
TI(德州仪器)
DS92001 3.3V B / LVDS , BLVDS缓冲区 DS92001 3.3V B/LVDS-BLVDS Buffer
TI(德州仪器)
DS92001 3.3V B / LVDS , BLVDS缓冲区 DS92001 3.3V B/LVDS-BLVDS Buffer
TI(德州仪器)
DS92001 3.3V B / LVDS , BLVDS缓冲区 DS92001 3.3V B/LVDS-BLVDS Buffer
National Semiconductor(美国国家半导体)
3.3V B / LVDS , BLVDS缓冲区 3.3V B/LVDS-BLVDS Buffer
TI(德州仪器)
DS92001 3.3V B / LVDS , BLVDS缓冲区 DS92001 3.3V B/LVDS-BLVDS Buffer
National Semiconductor(美国国家半导体)
3.3V B / LVDS , BLVDS缓冲区 3.3V B/LVDS-BLVDS Buffer
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