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Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > ROHM Semiconductor(罗姆半导体) > DTA113ZUAT106 Datasheet 文档
DTA113ZUAT106
器件3D模型
0.023
DTA113ZUAT106 数据手册 (8 页)
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DTA113ZUAT106 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-50.0 V
额定电流
-100 mA
封装
SC-70-3
额定功率
0.2 W
极性
PNP
功耗
200 mW
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
100mA
最小电流放大倍数
33 @5mA, 5V
额定功率(Max)
200 mW
直流电流增益(hFE)
33
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
增益带宽
250 MHz
耗散功率(Max)
200 mW

DTA113ZUAT106 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃

DTA113ZUAT106 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
8 页 / 1.08 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
10 页 / 1.38 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
1 页 / 0.12 MByte

DTA113 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
数字晶体管(内置电阻) Digital transistors (built-in resistors)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 1 kohm, 2.2 kohm
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
1个PNP-预偏置 100mA 50V
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  DTA113ZUAT106  单晶体管 双极, PNP, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 33 hFE
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 1 kohm, 10 kohm
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
DTA113ZE 带阻尼PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 0.15W/150mW SOT-523/EMT3 标记E11 开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路
ON Semiconductor(安森美)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
数字晶体管(内置电阻) Digital transistors (built-in resistors)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 1 kohm, 10 kohm, 0.1 电阻比率
ON Semiconductor(安森美)
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