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DTA114EEBTL
0.011
DTA114EEBTL 数据手册 (13 页)
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DTA114EEBTL 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-416
额定功率
0.15 W
极性
PNP
功耗
0.15 W
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
100mA
最小电流放大倍数
20 @5mA, 5V
额定功率(Max)
150 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
增益带宽
250 MHz
耗散功率(Max)
150 mW

DTA114EEBTL 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃

DTA114EEBTL 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
13 页 / 3.58 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
12 页 / 3.79 MByte

DTA114 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  DTA114EKAT146  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SC-59
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  DTA114EUAT106  单晶体管 双极, PNP, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 30 hFE
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
PNP -100mA -50V数字晶体管(偏置电阻内置晶体管) PNP -100mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)
ON Semiconductor(安森美)
PNP 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  DTA114YET1G  晶体管 双极预偏置/数字, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 电阻比率, SC-75 新
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
PNP -0.1A -50V偏置电阻晶体管
ON Semiconductor(安森美)
PNP 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  DTA114TKAT146  单晶体管 双极, PNP, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 10 mA, 250 hFE
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  DTA114YKAT146  单晶体管 双极, 数字式, PNP, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 68 hFE
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
PNP 晶体管,ROHM### Digital Transistors, ROHMResistor-equipped bipolar transistors, also known as “Digital Transistors” or “Bias Resistor Transistors”, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available.
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