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DTA114YET1G
器件3D模型
0.022
DTA114YET1G 数据手册 (12 页)
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DTA114YET1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-50.0 V
额定电流
-100 mA
封装
SC-75-3
无卤素状态
Halogen Free
极性
PNP
功耗
0.3 W
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
100mA
最小电流放大倍数
80 @5mA, 10V
额定功率(Max)
200 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

DTA114YET1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃

DTA114YET1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 0.1 MByte
ON Semiconductor(安森美)
15 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.02 MByte
ON Semiconductor(安森美)
14 页 / 0.21 MByte

DTA114YET1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors
Motorola(摩托罗拉)
Leshan Radio(乐山无线电)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  DTA114YET1G  晶体管 双极预偏置/数字, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 电阻比率, SC-75 新
Leshan Radio(乐山无线电)
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