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DTA115EUAT106
0.012
DTA115EUAT106 数据手册 (10 页)
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DTA115EUAT106 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-50.0 V
额定电流
-20.0 mA
封装
SOT-323
额定功率
0.2 W
极性
PNP
功耗
0.2 W
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
100mA
最小电流放大倍数
82 @5mA, 5V
最大电流放大倍数
82
额定功率(Max)
200 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
增益带宽
250 MHz
耗散功率(Max)
200 mW

DTA115EUAT106 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2 mm
宽度
1.25 mm
高度
0.8 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

DTA115EUAT106 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
10 页 / 1.35 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
13 页 / 1.29 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
1 页 / 0.12 MByte

DTA115 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管 双极预偏置/数字, 数字式, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 100 kohm, 100 kohm
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
DTA115EETL 编带
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
DTA115EKA 系列 50 V 100 mA 表面贴装 PNP 数字晶体管 - SC-59
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
数字晶体管 DTA115TUAT106 SC-70(SOT-323)
ON Semiconductor(安森美)
数字晶体管( BRT ) PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Digital Transistors (BRT) PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 100MA
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 100 kohm, 100 kohm, 1 电阻比率
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 100MA
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
双极晶体管 - 预偏置 TRANS DIGI BJT PNP 100MA TR
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