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DTA123EM3T5G
0.018
DTA123EM3T5G 数据手册 (11 页)
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DTA123EM3T5G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-50.0 V
额定电流
-100 mA
封装
SOT-723-3
无卤素状态
Halogen Free
极性
PNP
功耗
260 mW
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
100mA
最小电流放大倍数
8 @5mA, 10V
最大电流放大倍数
80
额定功率(Max)
260 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
600 mW

DTA123EM3T5G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
1.2 mm
宽度
0.8 mm
高度
0.5 mm

DTA123EM3T5G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
11 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 0.41 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.16 MByte

DTA123EM3T5 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
数字晶体管( BRT ) PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Digital Transistors (BRT) PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network
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