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DTA124EKAT146
0.01
DTA124EKAT146 数据手册 (11 页)
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DTA124EKAT146 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-50.0 V
额定电流
-30.0 mA
封装
SOT-23-3
额定功率
0.2 W
极性
PNP
功耗
200 mW
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
100mA
最小电流放大倍数
56 @5mA, 5V
最大电流放大倍数
56
额定功率(Max)
200 mW
直流电流增益(hFE)
56
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
增益带宽
250 MHz
耗散功率(Max)
200 mW

DTA124EKAT146 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3 mm
宽度
1.8 mm
高度
1.2 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

DTA124EKAT146 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
11 页 / 1.48 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
14 页 / 1.78 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
1 页 / 0.12 MByte

DTA124 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
数字晶体管 DIGITAL TRANSISTOR
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  DTA124EKAT146  单晶体管 双极, 数字式, PNP, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 56 hFE
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
PNP -0.1A -50V偏置电阻晶体管
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
内置在偏置电阻器,R 1 = R 2 = 22kï ???? 。 Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 22k.
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ON Semiconductor(安森美)
数字晶体管( BRT ) PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Digital Transistors (BRT) PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
DTA124EUBTL 编带
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 30MA
ON Semiconductor(安森美)
偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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