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DTC123EUAT106
0.011
DTC123EUAT106 数据手册 (9 页)
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DTC123EUAT106 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
50.0 V
额定电流
100 mA
封装
SOT-323-3
额定功率
0.2 W
极性
NPN
功耗
200 mW
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
100mA
最小电流放大倍数
20 @20mA, 5V
额定功率(Max)
200 mW
直流电流增益(hFE)
20
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
增益带宽
250 MHz
耗散功率(Max)
300 mW

DTC123EUAT106 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
宽度
1.25 mm
高度
0.9 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

DTC123EUAT106 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
9 页 / 1.21 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
12 页 / 1.41 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
1 页 / 0.14 MByte

DTC123 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  DTC123JKAT146  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.047 电阻比率, SC-59
ON Semiconductor(安森美)
NPN 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
NPN 0.1A 50V偏置电阻晶体管
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
NPN 0.1A 50V偏置电阻晶体管
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  DTC123JMT2L  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.047 电阻比率, SC-105AA
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  DTC123YKAT146  单晶体管 双极, 数字式, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 33 hFE
ON Semiconductor(安森美)
数字晶体管( BRT ) NPN硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Digital Transistors (BRT) NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network
CJ(长电科技)
DTC123YCA 编带
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
DTC123Y 系列 50 V 100 mA 表面贴装 NPN 数字 晶体管 - EMT-3
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
DTC123EETL 编带
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