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DTD113ZUT106
器件3D模型
0.05
DTD113ZUT106 数据手册 (7 页)
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DTD113ZUT106 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
50.0 V
额定电流
500 mA
封装
SC-70-3
额定功率
0.2 W
极性
NPN
功耗
200 mW
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
500mA
最小电流放大倍数
82 @50mA, 5V
最大电流放大倍数
82
额定功率(Max)
200 mW
直流电流增益(hFE)
82
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
增益带宽
200 MHz
耗散功率(Max)
200 mW

DTD113ZUT106 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.00 mm
宽度
1.25 mm
高度
0.80 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

DTD113ZUT106 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
7 页 / 0.34 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
7 页 / 1.01 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
1 页 / 0.14 MByte

DTD113 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  DTD113ZKT146  单晶体管 双极, 数字式, NPN, 50 V, 200 MHz, 200 mW, 500 mA, 82 hFE
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  DTD113ZUT106  单晶体管 双极, NPN, 50 V, 200 MHz, 200 mW, 500 mA, 82 hFE
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  DTD113EKT146  单晶体管 双极, 数字式, NPN, 50 V, 200 MHz, 200 mW, 500 mA, 33 hFE
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm, 1 电阻比率
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm, 0.1 电阻比率
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
DTD113ZK 带阻NPN三极管 50V 500mA/0.5A 1k 10k SOT-23/SC-59/SMT3 marking/标记 G21
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
DTD113EK 带阻NPN三极管 50V 500mA/0.5A 1k 1k SOT-23/SC-59/SMT3 marking/标记 F21
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
DTD113ZU 带阻NPN三极管 50V 500mA/0.5A 1k 10k SOT-323/SC-70/UMT3 marking/标记 G21
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm, 1 电阻比率
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm, 0.1 电阻比率
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