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DTD543EETL
0.117
DTD543EETL 数据手册 (3 页)
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DTD543EETL 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-416-3
额定功率
0.15 W
输出电压
60 mV
极性
NPN
功耗
0.15 W
击穿电压(集电极-发射极)
12 V
集电极最大允许电流
500mA
最小电流放大倍数
115 @100mA, 2V
额定功率(Max)
150 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
增益带宽
260 MHz
耗散功率(Max)
150 mW

DTD543EETL 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃

DTD543EETL 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
3 页 / 0.15 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
9 页 / 1.03 MByte

DTD543 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 10 kohm, 0.47 电阻比率
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 12 V, 500 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
低的VCE( sat)的数字晶体管内置电阻) Low VCE (sat) Digital transistors with built-in resistors)
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