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ECH8697R-TL-W 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SOT-28

描述:

24V,10A,11.6mΩ,双共漏极N通道功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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ECH8697R-TL-W 数据手册 (5 页)

封装尺寸在5 页

典型应用电路图在1 页

ECH8697R-TL-W 数据手册 (5 页)

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ECH8697R-TL-W 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOT-28

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0093 Ω

极性

Dual N-Channel

功耗

1.5 W

阈值电压

1.3 V

漏源极电压(Vds)

24 V

上升时间

230 ns

额定功率(Max)

1.5 W

下降时间

23.6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1600 mW

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ECH8697R-TL-W 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.96 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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ECH8697R-TL-W 符合标准

ECH8697R-TL-W 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.35 MByte

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