器件3D模型

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EFC6602R 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

WLCSP-6

描述:

N沟道功率MOSFET 12V ， 18A ， 5.9mÎ © ，双EFCP N-Channel Power MOSFET 12V, 18A, 5.9mÎ©, Dual EFCP

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

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产品图

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EFC6602R 数据手册 (8 页)

封装尺寸在1 页 7 页

EFC6602R 数据手册 (8 页)

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EFC6602R 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

WLCSP-6

漏源极电阻

5.9 mΩ

极性

Dual N

功耗

2 W

阈值电压

1.3 V

漏源极电压(Vds)

12 V

连续漏极电流(Ids)

18A

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EFC6602R 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

最小包装数量

3500

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EFC6602R 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

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