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EL7104CSZ-T7
器件3D模型
2.821
EL7104CSZ-T7 数据手册 (7 页)
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EL7104CSZ-T7 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
4.50V (min)
封装
SOIC-8
上升/下降时间
7.5ns, 10ns
输出接口数
2 Output
输出电流
4 A
功耗
570 mW
上升时间
20 ns
下降时间
20 ns
下降时间(Max)
20 ns
上升时间(Max)
20 ns
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
570 mW
电源电压
4.5V ~ 16V
电源电压(Max)
16 V
电源电压(Min)
4.5 V

EL7104CSZ-T7 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃

EL7104CSZ-T7 数据手册

Intersil(英特矽尔)
7 页 / 0.18 MByte
Intersil(英特矽尔)
11 页 / 0.18 MByte

EL7104 数据手册

Intersil(英特矽尔)
高速单通道功率MOSFET驱动器 High Speed, Single Channel, Power MOSFET Driver
Intersil(英特矽尔)
INTERSIL  EL7104CSZ  双路驱动器芯片, MOSFET, 驱动器, 4.5V-16V电源, 4A输出, 18ns延迟, SOIC-8
Intersil(英特矽尔)
INTERSIL  EL7104CNZ  芯片, 功率MOSFET驱动器
Intersil(英特矽尔)
MOSFET & IGBT 驱动器,IntersilIntersil 驱动器产品组合包含半桥接、全桥接、低侧和同步降压 MOSFET 驱动器。### MOSFET & IGBT 驱动器,Intersil
Renesas Electronics(瑞萨电子)
低侧 MOSFET 驱动器,Intersil电压高达 100 V 高性能输入到输出传播延时### MOSFET & IGBT 驱动器,Intersil
Intersil(英特矽尔)
MOSFET驱动器
Renesas Electronics(瑞萨电子)
低侧 MOSFET 驱动器,Intersil电压高达 100 V 高性能输入到输出传播延时### MOSFET & IGBT 驱动器,Intersil
Renesas Electronics(瑞萨电子)
低侧 MOSFET 驱动器,Intersil电压高达 100 V 高性能输入到输出传播延时### MOSFET & IGBT 驱动器,Intersil
Intersil(英特矽尔)
高速单通道功率MOSFET驱动器 High Speed, Single Channel, Power MOSFET Driver
Intersil(英特矽尔)
高速单通道功率MOSFET驱动器 High Speed, Single Channel, Power MOSFET Driver
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