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EM6J1T2R 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOT-563-6

描述:

双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 200 mA, -20 V, 0.8 ohm, -4.5 V, -1 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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EM6J1T2R 数据手册 (5 页)

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EM6J1T2R 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

SOT-563-6

通道数

2 Channel

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.8 Ω

极性

Dual P-Channel

功耗

0.15 W

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

20 V

上升时间

4 ns

输入电容值(Ciss)

115pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

150 mW

下降时间

17 ns

工作温度(Max)

150 ℃

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EM6J1T2R 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

150℃ (TJ)

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EM6J1T2R 符合标准

EM6J1T2R 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

5 页 / 1.02 MByte

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