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EM6K1T2R 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOT-563-6

描述:

N 沟道和 N 沟道 150 mW 30 V 13 Ohm 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet -EMT-6

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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EM6K1T2R 数据手册 (4 页)

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EM6K1T2R 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

额定电压(DC)

30.0 V

额定电流

100 mA

封装

SOT-563-6

通道数

2 Channel

漏源极电阻

7 Ω

极性

Dual N-Channel

功耗

0.12 W

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

连续漏极电流(Ids)

100 mA

上升时间

35 ns

输入电容值(Ciss)

13pF @5V(Vds)

额定功率(Max)

150 mW

下降时间

80 ns

耗散功率(Max)

150 mW

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EM6K1T2R 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

1.6 mm

宽度

1.2 mm

高度

0.5 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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EM6K1T2R 符合标准

EM6K1T2R 海关信息

EM6K1T2R 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

4 页 / 0.06 MByte

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4 页 / 0.07 MByte

EM6K1T2R 其他参考文件

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1 页 / 0.14 MByte

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N 沟道和 N 沟道 150 mW 30 V 13 Ohm 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet -EMT-6

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