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EMG9T2R 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

双极性晶体管

封装:

SMD-6

描述:

2个NPN-预偏置 100mA 50V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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EMG9T2R 数据手册 (10 页)

典型应用电路图在9 页

EMG9T2R 数据手册 (10 页)

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EMG9T2R 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

5 Pin

额定电压(DC)

50.0 V

额定电流

50.0 mA

封装

SMD-6

额定功率

0.15 W

极性

NPN

功耗

0.15 W

击穿电压(集电极-发射极)

50 V

集电极最大允许电流

100mA

最小电流放大倍数

30 @5mA, 5V

额定功率(Max)

150 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

增益带宽

250 MHz

耗散功率(Max)

150 mW

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EMG9T2R 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

10 页 / 1.22 MByte

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2个NPN-预偏置 100mA 50V

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