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EMX1FHAT2R 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

双极性晶体管

封装:

SOT-563-6

描述:

ROHM EMX1FHAT2R 双极晶体管阵列, AEC-Q101, 双NPN, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-563

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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EMX1FHAT2R 数据手册 (8 页)

典型应用电路图在8 页

EMX1FHAT2R 数据手册 (8 页)

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EMX1FHAT2R 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

SOT-563-6

额定功率

0.15 W

针脚数

6 Position

极性

NPN

功耗

150 mW

击穿电压(集电极-发射极)

50 V

最小电流放大倍数

120 @1mA, 6V

最大电流放大倍数

560

额定功率(Max)

150 mW

直流电流增益(hFE)

120

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

150 mW

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EMX1FHAT2R 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

150℃ (TJ)

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EMX1FHAT2R 符合标准

EMX1FHAT2R 海关信息

EMX1FHAT2R 概述

EMX1FHAT2R 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

8 页 / 1.3 MByte

EMX1FHAT2R 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

6 页 / 1.08 MByte

EMX1FHAT2 数据手册

EMX1FHAT2R 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

ROHM EMX1FHAT2R 双极晶体管阵列, AEC-Q101, 双NPN, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-563

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