ESD5Z6.0T1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

●极性Polarization| 单向 Unidirectional \---|--- 反向关断电压/工作电压VRWMReverse Standoff Voltage| 6.0V 反向击穿电压VBRBreakdown Voltage| 6.8V 峰值脉冲耗散功率PPPMPeak Pulse Power Dissipation| 181W 峰值脉冲电流IPPmPeak Forward Surge Current| 8.8A 额定耗散功率PdPower dissipation| 0.2W/200mW Description & Applications| Transient Voltage Suppressors Micro−Packaged Diodes for ESD Protection；Specification Features • Small Body Outline Dimensions:0.047″ x 0.032″(1.20 mm x 0.80 mm) • Low Body Height: 0.028″ (0.7 mm) • Stand−off Voltage: 2.5 V − 12 V • Peak Power up to 240 Watts @ 8 x 20 s Pulse • Low Leakage • Response Time is Typically < 1 ns • ESD Rating of Class 3 (> 16 kV) per Human Body Model • IEC61000−4−2 Level 4 ESD Protection • IEC61000−4−4 Level 4 EFT Protection • Pb−Free Packages are Available 描述与应用| 瞬态电压 抑制器 微型封装的ESD保护二极管;规格特性 •小体外形尺寸：0.047“×0.032”（1.20毫米x0.80毫米） •低身高：0.028“（0.7毫米） •反向关断电压：2.5 V - 12 V •峰值功率高达240瓦@8×20？s脉冲 •低漏 •响应时间通常小于1 ns •每人体模型ESD额定值的3类（16千伏） •IEC61000-4-24级ESD保护 •IEC61000-4-4等级4 EFT保护 •无铅包可用