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Datasheet 搜索 > 二极管 > ST Microelectronics(意法半导体) > ESDA25P35-1U1M Datasheet 文档
ESDA25P35-1U1M
器件3D模型
0.065
ESDA25P35-1U1M 数据手册 (10 页)
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ESDA25P35-1U1M 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
2 Pin
封装
QFN-2
针脚数
2 Position
钳位电压
41 V
测试电流
1 mA
最大反向击穿电压
25.8 V
脉冲峰值功率
1400 W
最小反向击穿电压
23.3 V
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
工作结温
-55℃ ~ 150℃

ESDA25P35-1U1M 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
高度
0.53 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

ESDA25P35-1U1M 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
10 页 / 0.56 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
60 页 / 4.35 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
7 页 / 0.12 MByte

ESDA25P351U1 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
静电保护装置, 单向, 41 V, QFN, 2 引脚
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