ESDA25P35-1U1M

器件3D模型

￥ 0.42

ESDA25P35-1U1M 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

二极管

封装:

QFN-2

描述:

静电保护装置, 单向, 41 V, QFN, 2 引脚

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

ESDA25P35-1U1M 数据手册 (10 页)

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ESDA25P35-1U1M 数据手册 (10 页)

3

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ESDA25P35-1U1M 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

2 Pin

封装

QFN-2

针脚数

2 Position

钳位电压

41 V

测试电流

1 mA

最大反向击穿电压

25.8 V

脉冲峰值功率

1400 W

最小反向击穿电压

23.3 V

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

工作结温

-55℃ ~ 150℃

查看数据手册 >

ESDA25P35-1U1M 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

高度

0.53 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

ESDA25P35-1U1M 符合标准

ESDA25P35-1U1M 海关信息

ESDA25P35-1U1M 概述

ESDA25P35-1U1M 数据手册

ESDA25P35-1U1M 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

10 页 / 0.56 MByte

ESDA25P35-1U1M 产品设计参考手册

ST Microelectronics（意法半导体）

60 页 / 4.35 MByte

ESDA25P35-1U1M 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

7 页 / 0.12 MByte

ESDA25P351U1 数据手册

ESDA25P35-1U1M 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

静电保护装置, 单向, 41 V, QFN, 2 引脚

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