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ESM3030DV 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

双极性晶体管

封装:

SOT-227-4

描述:

STMICROELECTRONICS ESM3030DV 单晶体管双极, 达林顿, NPN, 300 V, 225 W, 100 A, 300 hFE

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

ESM3030DV 数据手册 (8 页)

原理图在1 页

ESM3030DV 数据手册 (8 页)

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ESM3030DV 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Screw

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

300 V

额定电流

100 A

封装

SOT-227-4

负载电流

100 A

针脚数

4 Position

极性

NPN

功耗

225 W

击穿电压(集电极-发射极)

300 V

集电极最大允许电流

100A

最小电流放大倍数

300 @85A, 5V

额定功率(Max)

225 W

直流电流增益(hFE)

300

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

225000 mW

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ESM3030DV 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

38.2 mm

宽度

25.5 mm

高度

9.1 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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ESM3030DV 符合标准

ESM3030DV 海关信息

ESM3030DV 概述

ESM3030DV 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

8 页 / 0.38 MByte

ESM3030DV 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

8 页 / 0.11 MByte

ESM3030DV 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

30 页 / 0.31 MByte

ESM3030 数据手册

ESM3030DV 数据手册

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