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FCA16N60_F109
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FCA16N60_F109 数据手册 (9 页)
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FCA16N60_F109 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-3-3
漏源极电阻
220 mΩ
极性
N-Channel
功耗
167W (Tc)
漏源极电压(Vds)
600 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
16.0 A
输入电容值(Ciss)
2250pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
167W (Tc)

FCA16N60_F109 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Rail
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FCA16N60_F109 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.97 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.96 MByte

FCA16N60 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
PFC + PWM组合控制器 PFC+PWM Combination Controller
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
SupreMOS® MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild 推出了新一代 600V 超级结 MOSFET - SupreMOS®。 与 Fairchild 的 600V SuperFET™ MOSFET 相比,其低 RDS(接通)和总栅极电荷让品质因素 (FOM) 降低了 40%。 此外,SupreMOS 系列为相同的 RDS(接通)提供低栅极电荷,提供极佳的切换性能,切换和传导损耗降低 20%,从而获得更高的效率。 这些特征让电源符合用于台式 PC 的 ENERGY STAR® 80 PLUS 黄金分类和用于服务器的白金分类。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor SupreMOS 系列 Si N沟道 MOSFET FCA16N60N, 16 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
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