￥ 1.208

FCD850N80Z 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

TO-252-3

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 800 V, 0.71 ohm, 10 V, 4.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FCD850N80Z 数据手册

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FCD850N80Z 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.71 Ω

功耗

75 W

阈值电压

4.5 V

漏源极电压(Vds)

800 V

上升时间

10 ns

输入电容值(Ciss)

1315pF @100V(Vds)

下降时间

4.5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

75000 mW

FCD850N80Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FCD850N80Z 符合标准

FCD850N80Z 数据手册

FCD850N80Z 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

0 页 / 1.05 MByte

FCD850N80Z 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

11 页 / 0.67 MByte

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