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FCD900N60Z
0.453
FCD900N60Z 数据手册 (12 页)
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FCD900N60Z 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
900 mΩ
极性
N-CH
功耗
2 W
阈值电压
3.5 V
漏源极电压(Vds)
600 V
漏源击穿电压
650 V
连续漏极电流(Ids)
4.5A
上升时间
5.3 ns
输入电容值(Ciss)
720pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
52 W
下降时间
11.9 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
52W (Tc)

FCD900N60Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.73 mm
宽度
2.39 mm
高度
6.22 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FCD900N60Z 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
12 页 / 0.81 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
18 页 / 0.94 MByte

FCD900N60 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor SuperFET II 系列 Si N沟道 MOSFET FCD900N60Z, 4.5 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
Fairchild(飞兆/仙童)
MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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