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FCH35N60
4.462
FCH35N60 数据手册 (8 页)
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FCH35N60 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-247-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.079 Ω
功耗
312.5 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
600 V
上升时间
120 ns
输入电容值(Ciss)
6640pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
312.5 W
下降时间
73 ns
工作温度(Max)
150 ℃

FCH35N60 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
工作温度
-55℃ ~ 150℃

FCH35N60 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.71 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 1.51 MByte

FCH35 数据手册

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ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 600 V, 0.079 ohm, 10 V, 3 V
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