FCH47N60-F133 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCH47N60_F133  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 47 A, 600 V, 0.058 ohm, 10 V, 3 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCH47N60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 47 A, 600 V, 0.0515 ohm, 10 V, 2 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCH47N60F_F133  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 47 A, 600 V, 0.062 ohm, 10 V, 3 V

ON Semiconductor SupreMOS 系列 Si N沟道 MOSFET FCH47N60N, 47 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装

SupreMOS® MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild 推出了新一代 600V 超级结 MOSFET - SupreMOS®。 与 Fairchild 的 600V SuperFET™ MOSFET 相比，其低 RDS（接通）和总栅极电荷让品质因素 (FOM) 降低了 40%。 此外，SupreMOS 系列为相同的 RDS（接通）提供低栅极电荷，提供极佳的切换性能，切换和传导损耗降低 20%，从而获得更高的效率。 这些特征让电源符合用于台式 PC 的 ENERGY STAR® 80 PLUS 黄金分类和用于服务器的白金分类。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

ON Semiconductor SupreMOS 系列 Si N沟道 MOSFET FCH47N60NF, 46 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装

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