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FCP16N60N
6.478
FCP16N60N 数据手册 (10 页)
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FCP16N60N 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
170 mΩ
功耗
134.4 W
阈值电压
2 V
输入电容
1630 pF
漏源极电压(Vds)
600 V
上升时间
15.5 ns
输入电容值(Ciss)
1630pF @100V(Vds)
额定功率(Max)
134.4 W
下降时间
20.2 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
134.4 W

FCP16N60N 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail, Tube
长度
10.67 mm
宽度
4.83 mm
高度
9.4 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

FCP16N60N 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.62 MByte
ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 0.73 MByte
ON Semiconductor(安森美)
29 页 / 1.96 MByte

FCP16N60 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能,适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用,如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术,设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案,可占用更少板空间并提高可靠性。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCP16N60, 16 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
Freescale(飞思卡尔)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCP16N60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 16 A, 600 V, 170 mohm, 10 V, 2 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor SupreMOS 系列 Si N沟道 MOSFET FCP16N60N, 16 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
ON Semiconductor(安森美)
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