￥ 2.947

FDA59N30 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-3-3

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDA59N30 晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 300 V, 0.047 ohm, 10 V, 5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FDA59N30 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

FDA59N30 数据手册 (8 页)

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FDA59N30 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-3-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.047 Ω

极性

N-Channel

功耗

500 W

阈值电压

5 V

漏源极电压(Vds)

300 V

漏源击穿电压

300 V

连续漏极电流(Ids)

59.0 A

上升时间

575 ns

输入电容值(Ciss)

4670pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

500 W

下降时间

200 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

500W (Tc)

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FDA59N30 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

16.2 mm

宽度

5 mm

高度

18.9 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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FDA59N30 符合标准

FDA59N30 海关信息

FDA59N30 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 1.8 MByte

FDA59N30 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 0.47 MByte

FDA59N30 产品设计图

Fairchild（飞兆/仙童）

4 页 / 0.62 MByte

FDA59N30 开发手册

Fairchild（飞兆/仙童）

6 页 / 1.89 MByte

FDA59 数据手册

FDA59N30 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDA59N30 晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 300 V, 0.047 ohm, 10 V, 5 V

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FDA59N30 系列 300 V 0.047 Ohms N 沟道 Mosfet TO-3PN

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晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 250 V, 0.049 ohm, 10 V, 5 V

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