￥ 3.381

FDA69N25 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-3-3

描述:

UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDA69N25 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

FDA69N25 数据手册 (8 页)

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FDA69N25 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

250 V

额定电流

69.0 A

封装

TO-3-3

漏源极电阻

41.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

480 W

输入电容

4.64 nF

栅电荷

100 nC

漏源极电压(Vds)

250 V

漏源击穿电压

250 V

连续漏极电流(Ids)

69.0 A

上升时间

885 ns

输入电容值(Ciss)

4640pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

480 W

下降时间

220 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

480W (Tc)

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FDA69N25 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

15.8 mm

宽度

5 mm

高度

20.1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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FDA69N25 符合标准

FDA69N25 海关信息