￥ 3.66

FDB031N08 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 235 A, 75 V, 0.0024 ohm, 10 V, 3.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDB031N08 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

FDB031N08 数据手册 (8 页)

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FDB031N08 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0024 Ω

功耗

375 W

阈值电压

3.5 V

漏源极电压(Vds)

75 V

上升时间

191 ns

输入电容值(Ciss)

11400pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

375 W

下降时间

121 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

375000 mW

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FDB031N08 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 175℃

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FDB031N08 符合标准

FDB031N08 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

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