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FDB045AN08A0-F085
2.955
FDB045AN08A0-F085 数据手册 (12 页)
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FDB045AN08A0-F085 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263
上升时间
88 ns
输入电容值(Ciss)
6600pF @25V(Vds)
下降时间
45 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
310 W

FDB045AN08A0-F085 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10.67 mm
宽度
9.65 mm
高度
4.83 mm

FDB045AN08A0-F085 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 0.98 MByte

FDB045AN08A0 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB045AN08A0  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 75 V, 4.5 mohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB045AN08A0, 90 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
Freescale(飞思卡尔)
Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB045AN08A0_F085, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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