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FDB070AN06A0
1.08
FDB070AN06A0 数据手册 (12 页)
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FDB070AN06A0 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
80.0 A
封装
TO-263-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.0061 Ω
极性
N-Channel
功耗
175 W
阈值电压
4 V
输入电容
3.00 nF
栅电荷
51.0 nC
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
80.0 A
上升时间
159 ns
输入电容值(Ciss)
3000pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
175 W
下降时间
35 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
175 W

FDB070AN06A0 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10.67 mm
宽度
11.33 mm
高度
4.83 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

FDB070AN06A0 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
12 页 / 0.86 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
18 页 / 0.94 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.87 MByte

FDB070AN06 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB070AN06A0  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 60 V, 0.0061 ohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB070AN06A0, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
N沟道 60V 80A
ON Semiconductor(安森美)
Freescale(飞思卡尔)
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