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Datasheet 搜索 > MOS管 > Fairchild(飞兆/仙童) > FDB082N15A Datasheet 文档
FDB082N15A
3.301

FDB082N15A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
0.0067 Ω
极性
N-Channel
功耗
231 W
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
150 V
连续漏极电流(Ids)
117A
上升时间
58 ns
输入电容值(Ciss)
6040pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
231 W
下降时间
26 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
294W (Tc)

FDB082N15A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10.67 mm
宽度
9.65 mm
高度
4.83 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

FDB082N15A 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.73 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
18 页 / 0.94 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.87 MByte

FDB082N15 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
N沟道 150V 117A
Freescale(飞思卡尔)
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