￥ 0.714

FDB14N30TM 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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封装尺寸在8 页

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FDB14N30TM 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

2 Pin

封装

TO-263-3

漏源极电阻

0.24 Ω

极性

N-Channel

功耗

140 W

阈值电压

5 V

漏源极电压(Vds)

300 V

漏源击穿电压

300 V

连续漏极电流(Ids)

14.0 A

上升时间

105 ns

输入电容值(Ciss)

1060pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

140 W

下降时间

75 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

140 W

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FDB14N30TM 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.67 mm

宽度

11.33 mm

高度

4.83 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FDB14N30TM 符合标准

FDB14N30TM 海关信息

FDB14N30TM 概述