￥ 0.887

FDB33N25TM 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDB33N25TM, 33 A, Vds=250 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FDB33N25TM 数据手册 (8 页)

查看文档

或点击图片查看大图

FDB33N25TM 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.077 Ω

功耗

235 W

阈值电压

3 V

输入电容

1640 pF

漏源极电压(Vds)

250 V

上升时间

230 ns

输入电容值(Ciss)

1640pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

235 W

下降时间

120 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

235 W

FDB33N25TM 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.67 mm

宽度

11.33 mm

高度

4.83 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

FDB33N25TM 符合标准

FDB33N25TM 概述

FDB33N25TM 数据手册

FDB33N25TM 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.41 MByte

FDB33N25TM 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.87 MByte

FDB33N25 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFET

FDB33N25TM 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDB33N25TM, 33 A, Vds=250 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装

FDB33N25TM 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB33N25TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 250 V, 0.077 ohm, 10 V, 3 V

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号