FDB3632

器件3D模型

￥ 11.691

FDB3632 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB3632. 场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 80A, TO-263AB, 整卷

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FDB3632 数据手册 (11 页)

封装尺寸在8 页 9 页

FDB3632 数据手册 (11 页)

2

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4

5

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FDB3632 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

100 V

额定电流

44.0 A

封装

TO-263-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

7.5 mΩ

极性

N-Channel

功耗

310 W

阈值电压

4 V

输入电容

6.00 nF

栅电荷

84.0 nC

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

80.0 A

上升时间

39 ns

输入电容值(Ciss)

6000pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

310 W

下降时间

46 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

310W (Tc)

查看数据手册 >

FDB3632 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.67 mm

宽度

9.65 mm

高度

4.83 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

查看数据手册 >

FDB3632 符合标准

FDB3632 海关信息

FDB3632 数据手册

FDB3632 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

11 页 / 0.22 MByte

FDB3632 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

18 页 / 0.94 MByte

FDB3632 产品设计图

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.07 MByte

FDB3632 产品修订记录

Fairchild（飞兆/仙童）

7 页 / 0.87 MByte

FDB3632 其他参考文件

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.14 MByte

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