器件3D模型

￥ 1.703

FDB3632 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB3632, 12 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FDB3632 数据手册 (14 页)

封装尺寸在11 页 12 页 13 页

FDB3632 数据手册 (14 页)

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FDB3632 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

9 mΩ

功耗

310 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

100 V

上升时间

39 ns

输入电容值(Ciss)

6000pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

310 W

下降时间

46 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

310000 mW

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FDB3632 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.67 mm

宽度

9.65 mm

高度

4.83 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃

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FDB3632 符合标准

FDB3632 概述

FDB3632 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

14 页 / 0.76 MByte

FDB3632 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

17 页 / 0.84 MByte

FDB3632 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.87 MByte

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