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FDB7030L
4.715
FDB7030L 数据手册 (5 页)
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FDB7030L 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
TO-263-3
功耗
68W (Tc)
漏源极电压(Vds)
30 V
输入电容值(Ciss)
2440pF @15V(Vds)
耗散功率(Max)
68W (Tc)

FDB7030L 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
工作温度
-65℃ ~ 175℃ (TJ)

FDB7030L 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.1 MByte

FDB7030 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB7030BL  场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 60A TO-263AB, 整卷
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fairchild(飞兆/仙童)
FDB7030BLS N沟道场效应管 30v 56A TO263AB 代码 FDB7030BL
ON Semiconductor(安森美)
FDB7030BL 系列 30 V 9 mOhms N 沟道 逻辑电平 PowerTrench Mosfet TO-263AB
Freescale(飞思卡尔)
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
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